MBR12080CT
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MBR12080CT |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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80+ | $68.8455 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 60 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 80 V |
Technologie | Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 3 mA @ 20 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 120A (DC) |
Grundproduktnummer | MBR12080 |
MBR12080CT Einzelheiten PDF [English] | MBR12080CT PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MBR12080CTGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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